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新微半導體推出IPD IP2AB11工藝制程，豐富射頻產品工藝選擇

20232023-03-01 15:52:54

202兩年多4月28日，武漢新微半導體芯片設備有限集團公司英文集團公司（縮略詞“新微半導體芯片設備”）即日起，因為砷化鎵（GaAs）板材的IPD（Integrated Passive Devices）集合無源元件IP2AB11技藝生產工藝設計來完成，做到投產標準的。該生產工藝具備的成本低投入、大中型化、高Q值和高正規性等性能參數優缺點，做到到現階段餐飲市場對徽波射頻前邊的功能迅速推廣的耍求，所以實現了如徽波濾波器、馬力分發器、交叉耦合器、雙工器、變成器內相配與偏置微信網絡等多類無源線路的大中型化與高比熱容集合，可非常廣泛利用于流量基站設備、徽波和mm毫米波流量等利用區域。IP2AB11新加工過程制造選用雙重合金互連線，在其中第二步層合金寬度為4μm,按照極為有利的于中頻設定的空氣中橋新加工過程，可不可以更有效變少交叉點線間的解耦并下降對地生存電阻。

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IP2AB11加工過程工藝根本規格

IP2AB11工藝制程橫截面圖.png

IP2AB11新工藝工藝橫剖面圖

 

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IP2AB11工藝制程典型無源元器件示例圖

 伴隨著微手機程序為了符合手機時代發展趨勢的需要，程序持續發展趨勢，手機為了符合手機時代發展趨勢的需要，成品對于那些SWaP-C（Size Weight and Power – Cost)規范要求飛速發展，IPD程序是一個種都具有高Q值、低不足的特點的rf微波射頻整合ibms程序運放程序，既能夠 成為無源組件隨便的使用，整合到rf微波射頻機械設備或程序中，也能夠 整合有源功率器件演變成非常簡化用途組件，符合常用ibms程序運放的設計需要。
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